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本发明公开一种氧化镓二极管的钝化结构，包括氧化镓衬底层、氧化镓外延层、阴极电极、阳极电极以及P型半导体一。氧化镓外延层为凸起状结构，且其下底面生长于氧化镓衬底层的一侧上。氧化镓外延层设有侧面和端面，侧面的一端与氧化镓外延层的上底面相交，侧面...
该专利属于中国科学技术大学所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学技术大学授权不得商用。

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