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本发明涉及一种利用面内外延模板诱导生长H相二硒化铬薄膜的方法及其应用，所述方法的核心在于使用面内外延模板诱导生长技术，利用与H相CrSe<subgt;2</subgt;晶格相匹配的MoSe<subgt;2</subg...
该专利属于华南师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南师范大学授权不得商用。

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