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本发明提供一种提高应力释放的发光二极管外延片及其制备方法，包括衬底以及依次沉积在衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、复合n型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层以及P型GaN层；其中，复合n型GaN层包括依次沉积在非掺杂GaN层上的周期性结构层及多...
该专利属于江西兆驰半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西兆驰半导体有限公司授权不得商用。

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