温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种碳化硅槽栅复合介质MOSFET功率器件的制造方法，形成贯穿第二导电类型阱区和第一导电类型源区的浅台面；形成与浅台面相连通的深台面；在深台面、浅台面中形成电场耐受层；电场耐受层的材料为高k介质；在电场耐受层之上形成中间介质层，...
该专利属于南京第三代半导体技术创新中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京第三代半导体技术创新中心有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。