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本发明一种半导体器件及形成方法，其中半导体器件包括：基底；位于所述基底上的多个第一导电层，所述多个第一导电层沿第一方向排布，且所述第一导电层与第二方向平行，所述第一方向与所述第二方向垂直；位于所述第一导电层上的导电插塞，所述导电插塞平行于所...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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