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一种逆导型绝缘栅双极晶体管制造技术
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文档序号:41293537
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本申请提供一种逆导型绝缘栅双极晶体管,该绝缘栅双极晶体管通过重掺杂第一导电类型逆导区域、重掺杂第二导电类型集电极区域和轻掺杂第二导电类型底部区域形成集电极侧注入结构,当绝缘栅双极晶体管逆向导通时,从发射极注入的空穴不仅直接流到重掺杂第二导电...
该专利属于重庆大学所有,仅供学习研究参考,未经过重庆大学授权不得商用。
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