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本发明涉及具有鞍鳍结构的半导体器件及其制造方法。一种制造半导体器件的方法包括：在半导体衬底的单元区域上形成暴露隔离区的垫氮化物层；在半导体衬底的隔离区中形成沟槽；在沟槽内形成隔离层；蚀刻半导体衬底的有源区至一定深度以形成凹陷有源区；蚀刻隔离...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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