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本发明公开了一种锰掺杂的氧化铈纳米材料及其制备方法和应用，本发明中锰掺杂的氧化铈纳米材料，由于表面氧空穴尺寸较大，可以促进锰离子对表面氧空穴旁边的铈离子进行阳离子交换，从而形成掺杂结构，并且，由于锰离子的离子半径(Mn<supgt;2...
该专利属于上海交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过上海交通大学授权不得商用。

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