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本发明涉及一种石墨烯原位包覆高纯多孔硅复合负极材料的制备方法，属于锂离子电池负极材料技术领域。本发明切割硅废料加入到金属盐刻蚀液中，在温度25～80℃下经金属辅助化学刻蚀法预处理1～120min，再经清洗剂清洗去除预处理硅废料表面的金属纳米...
该专利属于昆明理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过昆明理工大学授权不得商用。

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