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本发明所公开的一种具有变深度JTE结构的超宽禁带半导体二极管包括衬底层、外延层、介质层、阴极金属层、JTE区和阳极金属层，其中外延层和衬底层为第一超宽禁带半导体材料；JTE区为第二超宽禁带半导体，其中间结深不变，两侧的结深为逐渐减小的弧面直...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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