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本申请公开了一种射频开关器件及其制作方法，该器件包括：衬底，衬底中形成有STI结构，第一DTI结构和第二DTI结构；从俯视角度观察，STI结构，第一DTI结构和第二DTI结构为环形，STI结构在第一DTI结构环绕的区域内，第一DTI结构在第...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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