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本发明提供一种改善浅沟槽隔离研磨凹陷的方法，提供衬底，在衬底上形成牺牲氧化层以及位于牺牲氧化层上的氮化层；利用光刻、刻蚀在氮化层、牺牲氧化层以及下方的衬底上形成沟槽，在沟槽上形成衬垫氧化层；利用H2电离的等离子体处理衬垫氧化层以及氮化层的表...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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