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本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种金属互连结构的制作方法，包括以下步骤：提供开设有孔槽结构的低介电常数介质层；淀积形成金属种籽层，金属种籽层覆盖孔槽结构的内表面；通过电化学镀膜工艺淀积形成金属结构，金属结构填充满带有金属种籽...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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