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本申请提供一种IGBT的沟槽栅结构、IGBT器件及其制造方法，该沟槽栅结构包括：形成在衬底中的多个沟槽，该沟槽呈类似保龄球瓶的形状，沟槽下部的拐角呈圆化状，沟槽下部的宽度大于沟槽上部的宽度，沟槽下部的高度大于沟槽上部的高度；形成在沟槽侧壁和...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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