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本发明涉及一种具有凹槽阳极的准垂直结构GaN基SBD及其制备方法。GaN基SBD包括：外延片；阴极电极，设置于暴露出的N<supgt;+</supgt;‑GaN层上；阳极电极，包括凹槽阳极和场板金属的第一部分，凹槽阳极设置于自台...
该专利属于北京工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京工业大学授权不得商用。

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