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本发明提供一种水滑石结构支撑的锗离子印记聚合物复合材料及其制备方法和应用。所述复合材料是由离子印迹聚单体、引发剂、金属催化剂和2,2'‑联吡啶，在氮气保护下，经聚合反应得到；其中，引发剂由层状水滑石和α‑溴丁酸加入到乙醇‑水溶液中制备得到。...
该专利属于武汉工程大学所有，仅供学习研究参考，未经过武汉工程大学授权不得商用。

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