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本申请公开了一种应用于OTP器件的多层膜结构，包括：衬底层；氧化层，其形成于衬底层上；多晶硅层，其形成于氧化层上；SRO层，其形成于多晶硅层上；金属硅化物层，其形成于SRO层上；氮化硅层，其形成于金属硅化物层上。本申请通过在多晶硅层和金属硅...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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