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本发明公开了一种基于二维半导体材料量子电容的忆容器，属于人工智能神经信息存储技术领域，所述忆容器包括：电容极板、介电层以及导电层；所述电容极板包括二维半导体材料层和p型硅层；所述介电层设置于所述二维半导体材料层和p型硅层之间，所述p型硅层远...
该专利属于北京科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京科技大学授权不得商用。

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