温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种改善小尺寸再分布通孔金属层台阶覆盖率的方法，提供半导体衬底，在半导体衬底上形成集成电路器件；在半导体衬底上形成互连结构，其中，互连结构包括与集成电路器件连接的多个导电部件；在互连结构上形成第一钝化层，第一钝化层由自下而上的ND...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。