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半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备技术
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文档序号:41278012
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本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备,该方法包括:在衬底上形成有源结构,有源结构包括用于制备第一晶体管的第一有源结构和用于制备第二晶体管的第二有源结构;基于有源结构,形成第一浅沟槽隔离层、第二浅沟槽隔离层和第三浅沟槽隔...
该专利属于北京大学所有,仅供学习研究参考,未经过北京大学授权不得商用。
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