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本发明提供一种电容耦合等离子处理器,包括反应腔体,反应腔体内包括基座和与基座相对设置的上电极,所述基座用于支撑待处理基片。一个源射频电源和一个偏置射频电源连接到基座。一个射频信号处理装置连接到源射频功率输出端的单向耦合器,用于检测反射到高频...该专利属于中微半导体设备(上海)股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中微半导体设备(上海)股份有限公司授权不得商用。
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本发明提供一种电容耦合等离子处理器,包括反应腔体,反应腔体内包括基座和与基座相对设置的上电极,所述基座用于支撑待处理基片。一个源射频电源和一个偏置射频电源连接到基座。一个射频信号处理装置连接到源射频功率输出端的单向耦合器,用于检测反射到高频...