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本发明涉及一种用离子束溅射技术生长高密度细小自组织Ｇｅ量子点的方法，属半导体量子材料的制备技术领域。本发明采用离子束真空溅射技术，使用氩气作为工作气体，在生长温度为６００℃～８００℃，工作室本底真空度小于３．０×１０－４Ｐａ，束流电压为０．...
该专利属于云南大学所有，仅供学习研究参考，未经过云南大学授权不得商用。

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