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公开了用于将包含p型半导体氧化物的层沉积到衬底表面上的方法和系统。沉积过程包括循环沉积过程。可并入这些层的示例性结构包括3DNAND单元、存储器件、金属‑绝缘体‑金属结构和DRAM电容器。...
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