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本发明公开了一种PIN二极管紫外光电探测器及其制备方法。所述PIN二极管紫外光电探测器包括：PIN结构，包括沿指定方向依次层叠设置的P型半导体层、本征半导体层和N型半导体层；第一电极，与P型半导体层电连接；第二电极，与N型半导体层电连接；所...
该专利属于江西省纳米技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过江西省纳米技术研究院授权不得商用。

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