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本发明公开了一种以GaN为衬底外延高质量多晶金刚石及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，该方法包括以下四个步骤：S1，在GaN基体的衬底上进行微纳加工，GaN基体上呈现微纳加工图案；S2，在步骤S1中的所述微纳加工图案表面镀上介质层；S3，...
该专利属于安徽碳索芯材科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽碳索芯材科技有限公司授权不得商用。

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