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本发明涉及光学陀螺仪技术领域，提供了一种铌酸锂氮化硅集成波导结构及其制作方法。其中，集成波导结构包括衬底和依次生长在衬底之上的铌酸锂薄膜层和氮化硅层；在氮化硅层刻蚀出氮化硅脊形波导，得到多模干涉耦合器、起偏结构、Y形波导结构和环形波导结构；...
该专利属于武汉光迅科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉光迅科技股份有限公司授权不得商用。

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