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本发明涉及一种纳米波导结构半导体光探测器的制备方法，包括以下步骤：在半绝缘衬底上生长光探测器的外延材料，依次生长缓冲层，底部谐振腔反射镜，下隔离层，探测器吸收层，上隔离层，顶部谐振腔反射镜；在光探测器顶部欲作为反射镜的薄膜上实现具有特定几何...
该专利属于北京邮电大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京邮电大学授权不得商用。

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