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本发明公开一种垂直增强型氧化镓基MOSFET器件及其制备方法，MOSFET器件包括：依次层叠设置的氧化镓衬底、氧化镓漂移层和沟道层；氧化镓漂移层两侧上表面至预设深度的间隔区域中注入有受主离子形成电流阻挡层；所述沟道层的表面设置有向氧化镓衬底...
该专利属于杭州富加镓业科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州富加镓业科技有限公司授权不得商用。

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