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本发明公开了一种磁控溅射制备高质量六方氮化硼薄膜及其晶相调制方法。铜镍衬底上制得的氮化硼为多层氮化硼薄膜，且氮化硼取向高度一致，同向率最高达到87.79％，并且认为通过此方法可以进一步制得完全取向一致的多层单晶氮化硼薄膜。制备六方氮化硼薄膜...
该专利属于西安电子科技大学芜湖研究院所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学芜湖研究院授权不得商用。

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