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抗辐射MOS场效应晶体管的非对称沟槽型终端及制备方法技术
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下载抗辐射MOS场效应晶体管的非对称沟槽型终端及制备方法的技术资料
文档序号:41236664
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本发明属于微电子领域,公开了一种抗辐射MOS场效应晶体管的非对称沟槽型终端及制备方法,包括硅衬底上设置耐压外延层并定义多级沟槽栅区域,各级沟槽栅区域开设若干相互隔离的浮空多晶沟槽栅,相邻区域沟槽的结构参数按单调趋势变化,耐压外延层上方设置穿...
该专利属于西安微电子技术研究所所有,仅供学习研究参考,未经过西安微电子技术研究所授权不得商用。
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