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本申请公开了铁电场效应晶体管及其制备方法、存储器件。铁电场效应晶体管包括：栅极层，铁电层，铁电层位于栅极层的一侧，铁电层包括氧化铪，以及掺杂在氧化铪中的第一掺杂元素，第一掺杂元素包括镧元素；半导体层，半导体层位于铁电层远离栅极层的一侧，半导...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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