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本发明提供了一种半导体器件的制备方法，应用于半导体技术领域。由于在本发明提供的半导体器件的制备方法中，其先在基底内形成一内表面上覆盖有第一介质层(屏蔽介质)，且其下部空间填充有第一多晶硅层(屏蔽多晶硅的沟槽)，然后，沿垂直方向去除部分所述第...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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