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本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及基于氧化镓与氮化镓的自供电紫外光电探测器及制备方法。该方法包括步骤：在衬底上沉积掩膜版；在掩膜版上刻蚀出纳米孔阵列，且纳米孔阵列贯穿掩膜版以露出衬底表面；在每个纳米孔中沉积GaN纳米线阵列；在每个GaN纳米...
该专利属于杭州富加镓业科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州富加镓业科技有限公司授权不得商用。

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