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本申请实施例提供了一种铜互连结构制备方法、装置、设备以及存储介质，该方法包括：获取输入的待处理产品片中阻挡层的铜互连结构的目标接触电阻，将目标接触电阻输入至预先构建的曲线拟合模型得到目标蚀刻沉积比；在设置的参数对照表中查询确定对应目标蚀刻沉...
该专利属于粤芯半导体技术股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过粤芯半导体技术股份有限公司授权不得商用。

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