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本发明公开了一种宽光谱红外光电探测器及其制备方法，属于半导体器件技术领域。该方法包括：1)选取N型硅衬底；2)在200℃～250℃，利用超高真空化学汽相淀积工艺，在N型硅衬底上形成氮化硅缓冲层；3)在100℃～200℃，利用微波等离子化学汽...
该专利属于重庆大学所有，仅供学习研究参考，未经过重庆大学授权不得商用。

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