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本发明提供了HfN‑Ge‑Sb‑Te相变材料及低功耗相变存储器，属于微纳电子领域，其通式为(HfN)<subgt;x</subgt;(Ge‑Sb‑Te)<subgt;1‑x</subgt;，x为HfN的分子数占总分子...
该专利属于华中科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过华中科技大学授权不得商用。

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