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一种多共存现象的忆阻‑忆容混合超混沌电路的实现方法，构建磁控忆阻器和荷控忆容器模型，分别验证其忆阻、忆容特性；构成忆阻‑忆容混合混沌电路模型，并采用平衡点、耗散性、李雅普诺夫(Lyapunov)指数等方法验证电路模型的超混沌特性；通过超大尺...
该专利属于江西理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过江西理工大学授权不得商用。

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