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一种电容器结构及其形成方法,其中电容结构包括:衬底;位于衬底上的介质层;位于介质层内的第一电极部和第二电极部,第一电极部包括:第一电极端,分别与第一电极端连接的若干第一指状极板;分别与第一电极端连接的若干第二指状极板;第二电极部包括:第二电...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。
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一种电容器结构及其形成方法,其中电容结构包括:衬底;位于衬底上的介质层;位于介质层内的第一电极部和第二电极部,第一电极部包括:第一电极端,分别与第一电极端连接的若干第一指状极板;分别与第一电极端连接的若干第二指状极板;第二电极部包括:第二电...