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本发明公开了一种多沟道GaN基HEMT器件及其制备方法，该器件包括自下而上依次层叠的衬底层、过渡层、高阻层，在高阻层上的沟道区多个沟道层和势垒层依次交叠形成多个并列沟道，顶端沟道层和顶端势垒层则覆盖包括沟道区在内的整个器件表面；栅源区和漏区...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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