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本公开提供了动态随机存取存储器(DRAM)阵列结构及其操作方法和制造方法。根据本公开的DRAM阵列结构包括排列成M行N列的多个DRAM单元结构，每个包括存储电容器和选通晶体管。选通晶体管包括具有第一源/漏区、沟道区和第二源/漏区的竖直延伸的...
该专利属于北京超弦存储器研究院所有，仅供学习研究参考，未经过北京超弦存储器研究院授权不得商用。

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