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动态随机存取存储器阵列结构制造技术
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文档序号:41199084
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本公开提供了具有双层字线的竖直型动态随机存取存储器(DRAM)阵列结构。该DRAM阵列结构包括排列成阵列的多个DRAM单元结构。根据本公开的DRAM阵列结构包括:衬底;奇数列或偶数列的DRAM单元结构的第一存储电容器,设置在衬底上;偶数列或...
该专利属于北京超弦存储器研究院所有,仅供学习研究参考,未经过北京超弦存储器研究院授权不得商用。
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