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本发明公开了一种具有刻蚀容差的硅狭缝波导电极。在绝缘体上的硅材料的顶层硅中部设有硅狭缝波导，包括一侧硅波导、狭缝、另一侧硅波导、以及狭缝底部刻蚀残留的本征硅Ｉ或狭缝底部刻蚀残留的Ｐ型掺杂的硅或Ｎ型掺杂的硅。狭缝中填充同时作为上包层的电光材料...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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