下载一种低表面反射率的单晶硅太阳电池绒面制作工艺的技术资料

文档序号:4115826

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本发明公开的低表面反射率的单晶硅太阳电池绒面制作工艺,步骤如下:先清洗硅片,去除硅片表面损伤;然后放入KOH和异丙醇的混合溶液中,在硅片表面形成大小均匀的金字塔结构;再将具有金字塔结构的硅片放入HF和Fe(NO↓[3])↓[3]的混合液中腐...
该专利属于浙江大学所有,仅供学习研究参考,未经过浙江大学授权不得商用。

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