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一种Si基GaN外延低位错薄膜及其制备方法，属于半导体技术领域，该薄膜包括从下至上依次层叠设置的Si衬底、AlN成核层、线性AlGaN缓冲层、GaN沟道层、AlN阻挡层、AlGaN势垒层及Gap帽层，本发明利用线性AlGaN缓冲层能够有效降...
该专利属于西电芜湖研究院有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过西电芜湖研究院有限责任公司授权不得商用。

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