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本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，包括：衬底、第一电连接件、第二电连接件、栅极、栅介质层、通道层、隔离结构和金属结构层，其中，衬底上形成有第一绝缘结构层，第一电连接件和第二电连接件沿第一方向交替排布于第一绝缘结构层中；栅极位于第一电连...
该专利属于福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。

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