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本发明主要研究h‑BN单晶生长诱导金属表面单晶化的方法，属于单晶材料生长邻域。这里选择能够生长h‑BN晶体的任意金属助溶剂，以B粉或BN粉混合气体为原料，在氮气和氩气的常压气氛中，升温到一定温度并恒温一定时间，使B或BN粉完全溶于金属助溶剂...
该专利属于天津理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津理工大学授权不得商用。

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