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一种导模法氧化镓晶体的无损回熔方法,步骤一,装籽晶,将模具置于坩埚中,装入氧化镓原料,将坩埚放置于保温筒中心,关炉,抽真空;步骤二,充保护气体;步骤三,升温;步骤四,采用导模法进行氧化镓晶体生长,在生长过程中晶体出现多晶、孪晶、平肩现象,需...该专利属于中国电子科技集团公司第四十六研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国电子科技集团公司第四十六研究所授权不得商用。
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一种导模法氧化镓晶体的无损回熔方法,步骤一,装籽晶,将模具置于坩埚中,装入氧化镓原料,将坩埚放置于保温筒中心,关炉,抽真空;步骤二,充保护气体;步骤三,升温;步骤四,采用导模法进行氧化镓晶体生长,在生长过程中晶体出现多晶、孪晶、平肩现象,需...