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本发明涉及半导体材料制备技术领域，具体公开了一种具有终端沟槽结构的碳化硅二极管及其制备工艺，所述碳化硅二极管组成包括：碳化硅基片以及碳化硅基片上组合物，所述组合物由N型和P型掺杂剂、掺杂掩蔽层材料、绝缘层材料、金属电极材料和沟槽结构材料组成...
该专利属于浙江芯科半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江芯科半导体有限公司授权不得商用。

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