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本发明公开了一种半导体材料技术领域的分析α‑Ga<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;生长情况的雾化学气相沉积系统及方法，旨在解决现有技术中Mist‑CVD系统连续生长亚稳定相α‑Ga&l...
该专利属于南京邮电大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京邮电大学授权不得商用。

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