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一种改善N型SiC衬底电阻率均匀性的热场结构，涉及N型SiC晶体PVT法生长技术领域，其能够实现长晶过程中晶体各处温度更加均匀，并有效提高晶体内电阻率的均匀性。所述改善N型SiC衬底电阻率均匀性的热场结构中，坩埚内放置有生长晶体；坩埚的内壁...
该专利属于河北同光半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过河北同光半导体股份有限公司授权不得商用。

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